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高出力100 mW DFBレーザダイオードチップ
非冷却時の出力は100 mW、冷却時の出力は300 mWで、最先端のOバンドトランシーバーでレーンあたりそれぞれ100 Gbpsと200 Gbpsを得ることができます。
これらのチップは、非冷却型DR4およびDR8トランシーバーの粗波長分割多重化（CWDM）波長要件に適合するように、4つの波長帯域で利用できます。高い信頼性を特徴とし、非密閉型パッケージ用としてGR-468規格に適合しています。
高出力100 mWレーザダイオードチップ
これらのチップは、Ø150 mmのグリップリング付き半透明テープで試験および検査されます。1.6Tまでの高度なシリコントランシーバー設計をサポートできる将来性のある技術です。
주요 기능
非冷却式OバンドCWDM4用に設計
非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠
優れた信頼性
上部アノードと裏面カソードの構成
RoHS適合
使用可能な波長 - CWDM4 1270 nm～1330 nm
관련 제품
주요 성공 사례
레이저 프레임워크, 지멘스의 디지털 팩토리에서 두각을 나타내다
Coherent 개발 지원과 Coherent FrameWork 소프트웨어를 통해 지멘스는 ID Link 제조 프로그램을 성공적으로 구현할 수 있었습니다.
