Netzwerktechnik
Leistungsstarke 100 mW DFB-Laserdiodenchips
Erhalten Sie 100 mW ungekühlte Ausgangsleistung und 300 mW Ausgangsleistung im gekühlten Zustand, um 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Spur für hochmoderne O-Band-Transceiver zu ermöglichen.
Diese Chips sind in vier Wellenlängenbändern erhältlich, um den Wellenlängenanforderungen des Grobmultiplexings (CWDM) in ungekühlten DR4- und DR8-Transceivern gerecht zu werden. Sie zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.
Leistungsstarke Laserdiodenchips mit 100 mW
Testen und inspizieren Sie diese Chips auf durchsichtigem Klebeband mit Greifring Ø 150 mm. Zukunftssichere Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis 1,6 T unterstützt.
Hauptmerkmale
Entwickelt für ungekühltes O-Band CWDM4
Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
Ausgezeichnete Zuverlässigkeit
Obere Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration
Entspricht RoHS
Verfügbare Wellenlängen - CWDM4 1270 nm bis 1330 nm
관련 제품
주요 성공 사례
레이저 프레임워크, 지멘스의 디지털 팩토리에서 두각을 나타내다
Coherent 개발 지원과 Coherent FrameWork 소프트웨어를 통해 지멘스는 ID Link 제조 프로그램을 성공적으로 구현할 수 있었습니다.
