재료
반응 결합 SiC
높은 평탄도, 깊은 침투 깊이, 내부 냉각 채널 등 고객의 요구 사항에 맞춰 거의 모든 크기와 형태의 RB-SiC 부품을 공급합니다.
RB-SiC는 높은 내열성, 낮은 열팽창 계수(CTE), 화학적 비활성, 높은 강도, 우수한 강도 대 중량비 등 독특한 물리적 특성 조합을 제공하여, 고전압 전자기기 및 반도체 공구 등의 용도에 적합합니다.
반응 결합 SiC의 특성
다양한 기계적, 열적, 전기적 특성에 최적화된 RB-SiC 기판 소재 중에서 선택하실 수 있습니다.
특성 |
SSC-702 |
SSC-802 |
SSC-902 |
SSC-HTC |
SSC-FG (미세 입자 SiSiC) |
HSC-702 (Si/SiC+Al) |
TSC-15 (Si/SiC+Ti) |
RBBC-751 (B₄C/SiC/Si) |
SiCAM 700 |
SiCAM 800 |
SiC 함량 (부피 %) |
70 |
80 |
90 |
78 |
70 |
70 |
80 |
70B4C 10SiC |
70 |
80 |
실리콘 함량 (부피 %) |
30 |
20 |
10 |
22 |
30 |
30 |
20 |
20 |
30 |
20 |
부피 밀도 (g/cc) |
2.95 |
3.00 |
3.12 |
3.02 |
2.94 |
3.01 |
3.13 |
2.56 |
2.95 |
3.00 |
영 계수 (GPa) [E] |
350 |
380 |
410 |
373 |
330 |
330 |
390 |
400 |
345 |
365 |
포아송 비 |
0.18 |
0.18 |
0.18 |
0.2 |
0.18 |
0.19 |
0.19 |
0.18 |
0.185 |
0.185 |
굽힘 강도 (MPa) |
270 |
280 |
280 |
265 |
350 |
275 |
225 |
280 |
280 |
290 |
파괴 인성 (MPa·m¹/²) |
4 |
4 |
4 |
3.5 |
4 |
5 |
5 |
5 |
3.2 |
3.2 |
CTE(25~100°C)(ppm/K) |
2.9 |
2.9 |
2.7 |
2.9 |
3 |
4.4 |
3 |
4.8 |
3.2 |
3.1 |
열전도율 (W/mK) |
170 |
180 |
190 |
255 |
150 |
200 |
210 |
52 |
177 |
185 |
비열(J/kg·K) |
680 |
670 |
660 |
670 |
680 |
700 |
670 |
890 |
686 |
674 |
비강성 (E/ρ) |
119 |
127 |
131 |
- |
112 |
109 |
125 |
156 |
117 |
122 |
열안정성 (k/α) |
59 |
62 |
70 |
- |
50 |
45 |
70 |
11 |
55 |
60 |
